FAP Plasmatechnik FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden
 
VHF-PECVD-Modul für Batchbearbeitung VPM 360


Anwendung

• PECVD von SiOx, SiOxNy, SiNx,
  a-C:H und SiC auf Chargen von
  Wafer oder Platten
• He-Rückseitenkopplung
• Plasmachemische Reaktorreinigung
  und plasmachemisches Ätzen


Aufbau und Lieferumfang

• Universelles System mit modularem Aufbau für die Fertigung
• HF/VHF-Elektrode mit Leistungsversorgung, Gasdusche und
  Thermostatierung
• Substratelektrode mit Heizung und Liftsystem, geerdet oder 
  Substratelektrode mit Kühlung, He-Rückseitenkopplung , Liftsystem,
  mit HF-Bias
• Gasversorgungssystem
• Vakuumkammer optional


Wesentliche Merkmale und Funktionsweise

• Integrierbar in ein Load Lock-System mit Lineartransportsystem,
  Face up- Prozess- mode
• Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 60 MHz und hohe
  Leistungsdichten
• Heliumrückseitenkopplung für temperatursensitive Prozesse
• Plasmaconfinement
• Elektrodenabstand einstellbar zur Prozessanpassung
• Elektrodenmaterial: Al-Legierung


Technische Daten

Substratabmessungen bis Ø 360 mm
   
Leistungsversorgung 13,56; 40,68;  60 oder 80 MHz,
1500 W
   
Substratelektroden
Oberflächentemperatur
50 bis 340 °C
   
Elektrodenabstand 10 - 40 mm
   
Arbeitsdruck 0,05 - 5 mbar
   
Kammerdurchmesser Ø etwa 480 mm
   
Prozessgase SiH4, NH3, N2O, SF6, O2 u.a.
   
Schichtdicken-Inhomogenität ± 3% - 5%
 




 
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