FAP Plasmatechnik FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden
 
VHF-PECVD-Reaktor mit Heliumkopplung VPM 200-He


Anwendung

• PECVD von SiOx, SiOxNy, SiNx und
  SiC auf Wafer oder Carrier mit
  Durchmesser von 6" und 8"
• Substrathalterung ohne Kontakt im 
  zentralen Rückseitenbereich
• He-Rückseitenkopplung
• Plasmachemische Reaktorreinigung
  und plasmachemisches Ätzen


Aufbau und Lieferumfang

• HF/VHF-Elektrode mit Leistungsversorgung, Gasdusche und
  Thermostatierung
• Substratelektrode mit Heizung, Heliumkopplung, mechanischer
  Klemmvorrichtung und Liftsystem
• Gasversorgungssystem
• Vakuumkammer optional


Wesentliche Merkmale und Funktionsweise

• Integrierbar in Clustertool oder Load Lock-System mit
  Zentralhandler bzw. Lineartransportsystem, Face up- Prozessmode
• Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 60 MHz und hohe
  Leistungsdichten
• Heliumrückseitenkopplung für temperatursensitive Prozesse
• Kein mechanischer Kontakt der Waferrückseite, Randbereich
  ausgenommen, mit der Substratelektrode
• Elektrodenabstand einstellbar zur Prozessanpassung
• Gute Stufenbedeckung für SiO2
• Integrierbar in Clustertool oder Load Lock-System mit
  Zentralhandler bzw. Lineartransportsystem, Face up- Prozessierung


Technische Daten

Waferabmessungen Ø 150 mm und 200 mm
   
Leistungsversorgung 13,56; 40,68; 60 oder 80 MHz,
1200 W
   
Substratelektroden
Oberflächentemperatur
100 bis 380 °C
   
Elektrodenabstand 15 - 35 mm
   
Arbeitsdruck 0,05 - 5 mbar
   
Kammerdurchmesser Ø etwa 480 mm
   
Prozessgase SiH4 SiH4, NH3, N2O, SF6, O2 u.a.
   
Schichtdicken-Inhomogenität    ± 3%



 
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