FAP Plasmatechnik FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden
 
VHF-PECVD-Reaktor mit Gasdichtung VPM 200


Anwendung

• PECVD von a-Si:H und  
  Siliziumverbindungen mit hohen  
  Reinheitsanforderungen
• Für Wafer oder Carrier mit
  Durchmesser von 6" und 8"
• Zur Fertigung komplexer 
  Dünnschichtstrukturen, beispielsweise
  für digitale Bildsensoren


Aufbau und Lieferumfang

• HF/VHF-Elektrode mit Leistungsversorgung, Gasdusche und
  Thermostatierung
• Substratelektrode mit Heizung und Liftsystem
• Plasmaconfinement
• Zwischenrezipient mit Spülgasdichtung
• Gasversorgungssystem
• Vakuumkammer und Pumpsystem optional


Wesentliche Merkmale und Funktionsweise

• Integrierbar in Clustertool oder Load Lock-System mit
  Zentralhandler bzw. Lineartransportsystem, Face up- Prozessierung
• Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 60 MHz und hohe
  Leistungsdichten
• Substratelektrode geerdet
• Ausführung in Al mit plasmachemischer Reaktorreinigung oder
  Edelstahl


Technische Daten

Waferabmessungen bis Ø 150 mm und 200 mm
   
Leistungsversorgung 13,56; 40,68; 60 oder 80 MHz,
600 W
   
Substratelektroden
Oberflächentemperatur
100 bis 380 °C
   
Elektrodenabstand 15 - 35 mm
   
Arbeitsdruck 0,05 - 5 mbar
   
Kammerdurchmesser Ø etwa 480 mm
   
Prozessgase SiH4, Dotantenhydride, NH3, N2O, SF6, O2 u.a.
   
Schichtdicken-Inhomogenität         ± 3%



 
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