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VHF-Elektrode für Hochtemperatur-PECVD VPE 150 HT
 Anwendung
• PECVD von Silizium-Legierungen bei
Temperaturen bis 600 °C auf Wafer oder
Carrier mit Durchmesser bis 150 mm
• Thermisch aktivierte PECVD
Aufbau
• HF/VHF-Elektrode mit
Leistungsversorgung, Gasdusche und
Thermostatierung
• Gasversorgungssystem (optional)
Wesentliche Merkmale und Funktionsweise
• Integrierbar in Vakuumkammer mit Substratelektrode, Face up-
Prozess- mode
• Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 100 MHz und hohe
Leistungsdichten
• Elektrodenabstand manuell einstellbar zur Prozessanpassung
• Definierte Entladungsraumbegrenzung
Technische Daten
| Elektrodendurchmesser |
bis Ø 150 mm |
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| Leistungsversorgung |
13,56, 40,68, 60 oder 80 MHz,
600 W |
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Substratelektroden-
Oberflächentemperatur |
bis 600 °C |
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| Elektrodenabstand |
manuell einstellbar 15 - 40 mm |
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| Arbeitsdruck |
0,05 - 5 mbar |
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| Prozessgase SiH4 |
Dotantenhydride, H2 u.a. |
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