FAP Plasmatechnik FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden
 
VHF-Elektrode für Hochtemperatur-PECVD VPE 150 HT


Anwendung

• PECVD von Silizium-Legierungen bei 
  Temperaturen bis 600 °C auf Wafer oder
  Carrier mit Durchmesser bis 150 mm
• Thermisch aktivierte PECVD


Aufbau

• HF/VHF-Elektrode mit
  Leistungsversorgung, Gasdusche und
  Thermostatierung
• Gasversorgungssystem (optional)


Wesentliche Merkmale und Funktionsweise

• Integrierbar in Vakuumkammer mit Substratelektrode, Face up-
  Prozess- mode
• Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 100 MHz und hohe
  Leistungsdichten
• Elektrodenabstand manuell einstellbar zur Prozessanpassung
• Definierte Entladungsraumbegrenzung


Technische Daten

Elektrodendurchmesser bis Ø 150 mm
   
Leistungsversorgung 13,56, 40,68, 60 oder 80 MHz,
600 W
   
Substratelektroden-
Oberflächentemperatur
bis 600 °C
   
Elektrodenabstand manuell einstellbar 15 - 40 mm
   
Arbeitsdruck 0,05 - 5 mbar
   
Prozessgase SiH4 Dotantenhydride, H2 u.a.





 
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