FAP Plasmatechnik FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden
 
SiC(N,O):H - Schutzschichten


Charakteristika des PECVD- Prozesses

Die Abscheidung der siliziumorganischen Schutzschichten ist ein Niedertemperaturprozess für Temperaturen unter 100 °C. Der FAP-Prozess wurde für Parallel-Platten- und Koaxial-Reaktoren und hohe Depositionsraten mit einer Anregungsfrequenz von 20 kHz- 200 MHz entwickelt. Die Reaktorreinigung ist plasmachemisch möglich.


Anwendung

• Erhöhung der Abriebfestigkeit von Polymeren


Ausrüstung

• Koaxial- und Parallel-Platten-Reaktoren TR 500 und VPW 300


Wesentliche Eigenschaften von Prozess und Schicht

Prozess:

• Umsetzung eines siliziumorganischen Monomers in Ar/N2/O2
• Anregungsfrequenz 20 oder 400 kHz
• Substratelektrode auf HF-Potential
• Abscheideraten bis 200 nm/min
• In situ plasmachemische Reaktorreinigung mit SF6/O2

Schicht:

Durchbruchfeldstärke > 1 MV/cm
   
Brechungsindex 1,5 -1,8
   
Dichte 1,5 - 2,0 g/cm3






 
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