FAP Plasmatechnik FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden
 
Polykristallines Silizium für piezoresistive Sensoren


Charakteristika des PECVD-Prozesses

Der FAP-Prozess wurde für große Substratträgerflächen und hohe Depositionsraten mit einer Anregungsfrequenz von 40.68 MHz und hohe Temperaturen entwickelt. Die VHF-Anregung ermöglicht im Vergleich zur üblichen 13,56 MHz-Anregung eine Reduzierung der Teilchenenergie und damit des Substratbeschusses sowie eine Erhöhung der Plasmadichte. Auf diese Weise lassen sich Poly-Si-Schichten mit guten elektrischen und piezoresistiven Eigenschaften bei hohen Depositionsraten abscheiden.
Die Depositionstechnologie ist mit der Reaktorreinigungstechnologie kompatibel.


Anwendung

• Drucksensoren


Ausrüstung

• Parallel-Platten-Reaktor mit Gasdichtung VPM 600/2500 HT


Wesentliche Eigenschaften von Prozess und Schicht

Prozess:

• Umsetzung von Monosilan in Wasserstoff oder Helium
• Dotierung mit Diboran
• Anregungsfrequenzen 40,68 MHz
• Substrattemperatur bis 600 °C
• Abscheideraten bis 0,5 nm/s
• In situ plasmachemische Reaktorreinigung mit SF6/O2

Schicht:

Schichtwiderstand 130 - 400 W‡
   
TCR -600 - 0 ppm/K
   
Korngröße < 60 nm
   
Toleranz der Eigenschaften <± 5 %



 
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