FAP Plasmatechnik FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden
 
Amorphes Siliziumkarbid


Charakteristika des PECVD-Prozesses

Die PECVD von amorphem Siliziumkarbid ist ein Niedertemperatur- prozess, der bei Temperaturen unter 250 °C ausgeführt wird. Der FAP-Prozess wurde für Parallel-Platten-Reaktoren sowie Koaxial- Reaktoren mit einer Anregungsfrequenz im VHF-Bereich sowie mit und ohne Bor-Dotierung entwickelt.
Wichtige Schichteigenschaften sind der Bandabstand, die elektrische Leitfähigkeit und die Abriebfestigkeit.

Die Reaktorreinigung ist plasmachemisch ohne Vakuumunterbrechung möglich. Depositions- und Ätztechnologie sind kompatibel.


Anwendung

• Deckschicht für Fotoleiter zur Elektrofotografie
• Fensterschicht von a-Si:H-Dünnschichtsolarzellen und fotoelektrischen
  Sensoren


Ausrüstung

• VHF-PECVD-Modul VPM 200
• PECVD-System TR 500


Wesentliche Eigenschaften von Prozess und Schicht

Prozess:

• Auf der Basis von Monosilan, Diboran und Methan
• Anregungsfrequenz 40,68 oder 80 MHz
• Substrattemperatur 180 - 250 °C
• Substratelektrode geerdet
• In situ plasmachemische Reaktorreinigung mit SF6/O2

Schicht:

Abscheiderate etwa 30 nm/min
   
Optisches Gap 2,0 - 2,3 eV
   
Leitfähigkeit 10-5 - 10-13 S/cm
   
Härte > 900 HV







 
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