FAP Plasmatechnik FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden
 
Siliziumnitrid für Antireflexbeschichtung und Wasserstoffpassivierung


Charakteristika des PECVD- Prozesses


Die PECVD von Siliziumnitrid für eine Antireflex-Beschichtung und Wasserstoffpasivierung von multikristallinen und einkristallinen Solarzellen wird bei Temperaturen über 400 °C ausgeführt. Der FAP-Prozess wurde für eine Prozessierung bei kontinuierlicher Substratbewegung mittels eines VHF-Linear-Reaktors mit einer Anregungsfrequenz im VHF-Bereich entwickelt.
Wichtige Prozesseigenschaften sind der Extinktionskoeffinzient und der Zellenwirkungsgrad sowie die Homogenität der Schichteigenschaften über dem Carrier und von Carrier zu Carrier.

Die Reaktorreinigung ist plasmachemisch ohne Vakuumunterbrechung möglich.


Anwendung

• Antireflexbeschichtung und Passivierung von Solarzellen
• Einkristalline und multikristalline Si-Zellen


Ausrüstung

• VHF-Linear-Hochtemperatur-PECVD-Modul VPEC 750 HT


Wesentliche Eigenschaften von Prozess und Schicht

Prozess

• Auf der Basis von Monosilan und Ammoniak
• Anregungsfrequenz 40,68 oder 80 MHz
• Optional: Doppelfrequenzanregung 400 kHz/ 40,68 oder 80 MHz
• Substrattemperatur 400 - 500 °C
• Druck 5 -100 Pa
• In situ plasmachemische Reaktorreinigung mit SF6/O2

Schicht

Abscheiderate 0,6 - 1,0 nm/s
   
Brechungsindex 1,9 - 2,1
   
Extinctionskoeffizient < 0,01
   
Toleranz der Schicht- eigenschaften über dem
Carrier und von Carrier
zu Carrier
<± 2 %







 
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