FAP Plasmatechnik FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden
 
Siliziumnitrid für Dünnschichtkapselung


Charakteristika des PECVD- Prozesses

Die PECVD von Siliziumnitrid ist ein Niedertemperaturprozess bei Temperaturen unter 380°C für die Dünnschichtkapselung elektronischer Bauelemente. Der FAP-Prozess wurde für Parallel-Platten-Reaktoren mit einer Anregungsfrequenz im unteren VHF-Bereich entwickelt. Wichtige Schichteigenschaften sind innere mechanische Spannungen, Barrierewirkung gegen Wasser und Sauerstoff, Wasserstoffgehalt und Brechungsindex.

Die Depositionstechnologie ist mit der Reaktorreinigungstechnologie kompatibel.


Anwendung

• Dünnschichtkapselung für elektronische Bauelemente wie IC und
  Temperatursensoren


Ausrüstung

• Parallel-Platten-Reaktor VPM 360


Wesentliche Eigenschaften von Prozess und Schicht

Prozess

• Umsetzung von Monosilan und Ammoniak mit Zusatz anderer Gase
• Anregungsfrequenz 13,56, 27,12 oder 40,68
• Optional: Doppelfrequenzanregung 400 kHz/ 13,56 oder 40,68 MHz
• Substrattemperatur 280 - 380 °C
• Substratelektrode geerdet
• In situ plasmachemische Reaktorreinigung mit SF6/O2

Schicht

Abscheiderate < 40 nm/min
   
Brechungsindex 1,8 - 2,2
   
Durchbruchfeldstärke > 0.5 MV/cm
   
IR-Spektrum kein Peak bei 885 cm-1
   
Stress 0- -300 MPa
   
Toleranz der
Schichteigenschaften
<± 2 %






 
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