FAP Plasmatechnik FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden
 
Siliziumoxinitrid


Charakteristika des PECVD- Prozesses


Die PECVD von Siliziumoxinitrid ist ein Niedertemperaturprozess für Temperaturen unter 300 °C. Der FAP-Prozess wurde für Parallel- Platten-und Koaxial-Reaktoren mit einer Anregungsfrequenz im unteren VHF-Bereich entwickelt.
Wichtige Schichteigenschaften sind Haftung zum Al-Substrat, definierte Diffusion von Al und Barriere-Eigenschaften des Metall-Halbleiterkontaktes für Elektroden und Löcher.
Die Depositionstechnologie ist mit der Reaktorreinigungstechnologie kompatibel.


Anwendung

• Fotoleiter für die Elektrofotografie
• Haftschicht


Ausrüstung

• Koaxial-Reaktor TR 500, Parralel-Platten-Reaktor VPM 360T


Wesentliche Eigenschaften des Prozesses

• Umsetzung von Monosilan Zusatz eines stickstoffhaltigen Gases
• Anregungsfrequenz 27,12 oder 40,68 MHz
• Substrattemperatur 180 - 300 °C
• In situ plasmachemische Reaktorreinigung mit SF6/O2

 
PRODUKTE

Sie möchten gern mehr über unsere Produkte erfahren? Dann schauen Sie hier. mehr...

 
LEISTUNGEN

Hier erfahren Sie alles weitere über die Leistungen der FAP GmbH Dresden Leistungen. mehr...

 
KONTAKT

FAP GmbH Dresden
Gostritzer Str. 67 B
01217 Dresden

Tel.: + 49 351 8718110
Fax: + 49 351 8718416
E-Mail: fap.gmbh@online.de



 
 
Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden