FAP Plasmatechnik FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden
 
Siliziumdioxid


Charakteristika des PECVD- Prozesses

Die PECVD von Siliziumdioxid ist ein Niedertemperaturprozess für Tempera-
turen unter 380 °C. Der FAP-Prozess
wurde für Parallel-Platten-Reaktoren
und hohe Depositionsraten mit einer Anregungsfrequenz im unteren VHF-
Bereich entwickelt. Die VHF-Anregung ermöglicht im Vergleich zur üblichen 13,56 MHz-Anregung eine Reduzierung der Teilchenenergie und damit des Substratbeschusses sowie eine Erhöhung der Plasmadichte. Auf diese Weise lassen sich SiOx-Schichten mit guten elektronischen Eigenschaften bei hohen Depositionsraten und guter Stufenbedeckung erzielen.

Die Depositionstechnologie ist mit der Reaktorreinigungstechnologie kompatibel.


Anwendung

• Intermetal-Dielektrikum für IC auf Wafer
• Isolationsschicht für piezoresistive Drucksensoren auf Stahl


Ausrüstung

• Parallel-Platten- Reaktoren VPM 200 He, VPM 360, VPM 600/2500 HT


Wesentliche Eigenschaften von Prozess und Schicht

Prozess:

• Umsetzung von Monosilan in Stickstoffdioxid
• Anregungsfrequenz 40,68 MHz
• Substratelektrode geerdet
• Substrattemperatur 300 - 380 °C
• Abscheideraten bis 200 nm/min
• In situ plasmachemische Reaktorreinigung mit SF6/O2

Schicht: 

Durchbruchsfeldstärke > 6 MV/cm
   
Brechungsindex 1.47 ± 0,015
   
Dichte 2,25 - 2,35 g/cm3
   
FTIR Spektrum Kein Peak bei 885 cm-1
   
Stress -50 - - 250 MPa








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