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PECVD-System für Trommeln TR 500
 Anwendung
• PECVD von Silizium-Legierungen
bei Temperaturen bis 300 °C
• Gasphasendotierung mit
Dotantenhydriden
• Trommelförmige Substrate mit
Durchmesser von 80 bis 240 mm,
Länge bis 500 mm; plattenförmige
Substrate bis 50 mm x 500 mm
• Plasmachemisches Ätzen
• F&E und Fertigung
Aufbau
• Load Lock - und Prozesskammer mit Heizer und
Substrattransportsystem
• Koaxiales HF-Elektrodensystem mit Gasdusche und Linearabsaugung
• Zwischenrezipientenprinzip
• Leistungsversorgung, Gasversorgungssystem
• Prozess-Vakuumsystem
• Gestell
• Anlagensteuerung
Wesentliche Merkmale und Funktionsweise
• Hochrate-Deposition mittels Magnetfeldstützung
• Substratelektrode rotierend
• HF-Bias des Substrates
• Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 27,36 MHz und hohe
Leistungsdichten
• Plasmaconfinement
• Elektroden- und Vakuumkammerausführung in Aluminium
• Fenster für optische Prozessüberwachung
Technische Daten
| Substratabmessungen |
Ø 80 bis 240 mm, Länge 500 bis 1000 mm |
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| Leistungsversorgung |
13,56, 27,12 MHz, 1000-2000 W |
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Substratelektroden
Oberflächentemperatur |
bis bis 350 °C |
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| Elektrodenabstand |
fest |
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| Vakuumsystem |
Trockenpumpsystem, Kombination Roots-Vorpumpe und Turbo-Pumpe |
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Trockenpumpsystem,
Kombination Roots-
Vorpumpe und Turbo-Pumpe |
kapazitiver Totaldruckmesser, Full range Messgerät |
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| Arbeitsdruck |
0,1 - 1 mbar |
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| Prozessgase |
SiH4, Dotantenhydride, Flüssigdotantenquellen, NH3, H2, SF6 u.a. |
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| Gassteuersystem |
MFC, Flüssigverdampfer, VCR Verschraubungen, Rohre elektro-innenpoliert |
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Ausführung der
Vakuumkammern |
Edelstahl |
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| Steuerung |
IPC |
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