FAP Plasmatechnik FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden
 
VHF-PECVD/Ätz-Modul für Platten VPEM 100


Anwendung

• VHF-PECVD von Silizium-Legierungen
  bei Temperaturen bis 300 °C
• Gasphasendotierung mit
  Dotantenhydriden
• Plasmachemisches Ätzen
• Substratabmessungen bis
  100 mm x 100 mm
• F&E


Aufbau

• Prozesskammer zum Anschluss an
  Tranfer-Kammer
• VHF-Elektrode mit Gasdusche und Substratelektrode mit Heizer
• Leistungsversorgung, Gasversorgungssystem
• Prozess-Vakuumsystem
• Gestell
• Anlagensteuerung


Wesentliche Merkmale und Funktionsweise

• Parallel-Platten-System für Bearbeitung im face down mode
• Substratelektrode mit Liftsystem zur automatischen
  Elektrodenabstandseinstelllung, elektrisch geerdet
• Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 80 MHz und hohe
  Leistungsdichten
• Plasmaconfinement
• Elektroden- und Vakuumkammerausführung in Aluminium
• Fenster für optische Prozessüberwachung


Technische Daten

Substratabmessungen bis 100 mm x 100 mm
   
Leistungsversorgung 13,56, 40,68, 60 oder 80 MHz,
100- 600 W
   
Substratelektroden
Oberflächentemperatur
bis 300 °C
   
Elektrodenabstand, einstellbar Automatisch, 5 - 30 mm
   
Vakuumsystem Trockenpumpsystem, Kombination Roots-Vorpumpe
   
Druckmesstechnik kapazitiver Totaldruckmesser, Full range Messgerät
   
Arbeitsdruck 0,05 - 20 mbar
   
Prozessgase SiH4, Dotantenhydride, NH3, H2, SF6, u.a.
   
Gassteuersystem MFC, VCR Verschraubungen, Rohre electro-innenpoliert
   
Steuerung IPC
   
Modul-Abmessungen etwa 700 mm x 960 mm x 1800 mm





 
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