FAP Plasmatechnik FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden
 
PECVD-Modul für Wafer PS200


Anwendung

• PECVD von Silizium-Legierungen bei
  Temperaturen bis 450 °C, optional bis 650 °C
• Gasphasendotierung mit Dotantenhydriden
• Substratdurchmesser bis 200 mm
• F&E und Fertigung


Aufbau

• Prozesskammer zum Anschluss an Tranfer-Kammer
• VHF-Elektrode mit Gasdusche und Substratelektrode mit Heizer
• Leistungsversorgung, Gasversorgungssystem
• Prozess-Vakuumsystem
• Gestell
• Anlagensteuerung
• Option: Mikrowellenquelle zur Plasmaerzeugung


Wesentliche Merkmale und Funktionsweise

• Parallel-Platten-System
• Substratelektrode mit Liftsystem zur automatischen
  Elektrodenabstandseinstelllung
• HF-Bias für Substratelektrode
• Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 80 MHz und hohe
  Leistungsdichten
• Plasmaconfinement
• Elektroden- und Vakuumkammerausführung in Edelstahl
• Blende zur Substratschirmung während der Zündung der Entladung
• Fenster für optische Prozessüberwachung


Technische Daten

Substratabmessungen bis Ø 200 mm
   
Leistungsversorgung 13,56, 40,68, 60 oder 80 MHz, 1000- 2000 W
   
Substratelektroden
Oberflächentemperatur
bis 750 °C
   
Elektrodenabstand,
einstellbar
Automatisch, 10 - 50 mm
   
Vakuumsystem Trockenpumpsystem, Kombination Roots-Vorpumpe
   
Druckmesstechnik kapazitiver Totaldruckmesser, Full range Messgerät
   
Arbeitsdruck 0,01 - 5 mbar
   
Prozessgase SiH4, Dotantenhydride, NH3, H2, u.a.
   
Gassteuersystem MFC, VCR Verschraubungen, Rohre electro-innenpoliert
   
Steuerung IPC




 
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