FAP Plasmatechnik FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden
 
VHF-Load Lock-Hochtemperatur-PECVD-System VPS 200 HT


Anwendung

• Hochrate-PECVD von Silizium-
  Legierungen bei Temperaturen
  bis 600 °C
• Gasphasendotierung mit
  Dotantenhydriden
• Substratdurchmesser bis 200 mm
• F&E und Fertigung


Aufbau

• Schleusen und Prozesskammer
• VHF-Elektrode mit Gasdusche und
  Substratelektrode mit Heizer
• Leistungsversorgung,
  Gasversorgungssystem
• Substrat-Lineartransportsystem
• Prozess-Vakuumsystem
• Gestell
• Anlagensteuerung


Wesentliche Merkmale und Funktionsweise

• Parallel-Platten-System
• Substratelektrode mit Liftsystem zur automatischen
  Elektrodenabstandseinstelllung
• HF-Bias für Substratelektrode
• Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 80 MHz und hohe
  Leistungsdichten
• Plasmaconfinement
• Elektroden- und Vakuumkammerausführung in Edelstahl


Technische Daten

Substratabmessungen bis Ø 200 mm
   
Leistungsversorgung 13,56, 40,68, 60 oder 80 MHz, 1000-2000 W
   
Substratelektroden
Oberflächentemperatur
bis 600 °C
   
Elektrodenabstand, einstellbar Automatisch, 10 - 50 mm
   
Arbeitsdruck 0,01 - 5 mbar
   
Prozessgase SiH4, Dotantenhydride, NH3, H2, SF6 u.a.
   
Gassteuersystem MFC, VCR Verschraubungen, Rohre electro-innenpoliert
   
Steuerung IPC



 
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