FAP Plasmatechnik FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden
 
VHF-Linear PECVD Modul VEM 300 D


Anwendung

• Hochrate-PECVD von Silizium-
  Legierungen bei Temperaturen
  bis 250 °C bei kontinuierlicher
  Substratbewegung
• Gasphasendotierung mit Dotantenhydriden
• Plasmapolymerisation
• Plasmachemisches Hochrate-Ätzen von Silizium-Legierungen
• Substratbreite bis 0,3 m
• Fertigungseinrichtungen


Aufbau und Lieferumfang

• HF/VHF-Elektrode mit Leistungsversorgung, Gasdusche und
  Thermostatierung
• Carrie
• Gasversorgungssystem
• Prozess-Vakuumsystem, Substrat-Heizstation (optional)


Wesentliche Merkmale und Funktionsweise

• Integrierbar in Vakuumkammer mit oder ohne Heizung,
  Substrathalterung face up, face down oder vertikal
• Geringe Verunreinigung der Reaktionsgase im Reaktor und der
  Vakuumkammer
• Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 80 MHz und hohe
  Leistungsdichten
• Reaktionsraumbegrenzung mittels Zwischenrezipient
• Elektrodenausführung in Al
• Plasmachemische Reaktorreinigung


Technische Daten

Substratbreite n x 300 mm bis 2000 mm
   
Leistungsversorgung 13,56; 40,68; 60; 80 MHz,
2000 - 8000 W
   
Substratelektroden
Oberflächentemperatur
bis 300 °C
   
Elektrodenabstand über Abstandselemente
   
Arbeitsdruck 0,01 - 5 mbar
   
Prozessgase SiH4, Dotantenhydride, H2, SF6, O2 u.a. Monomere
   
Leckrate < 10-4 mbar l/s
   
Schichtdicken-Inhomogenität ± 1 - 3%






 
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