FAP Plasmatechnik FAP Forschungs- und Applikationslabor Plasmatechnik GmbH Dresden
 
HF/VHF-Elektrode für Hochtemperatur-PECVD VPE 100 HT


Anwendung

• PECVD von Silizium-Legierungen bei
  Temperaturen bis 600 °C für
  Substrate bis 100 mm x 100 mm oder
  Æ 150 mm
• Thermisch aktivierte PECVD


Aufbau

• HF/VHF-Elektrode mit Leistungsversorgung, Gasdusche mit
  Thermostatierung bis 200 °C
• Gasversorgungssystem (optional)


Wesentliche Merkmale und Funktionsweise

• Integrierbar in Vakuumkammer DN 200, face up- und face down-
  Prozessmode
• Geeignet für Anregungsfrequenzen bis 100 MHz und hohe
  Leistungsdichten
• Elektrodenabstand manuell einstellbar zur Prozessanpassung
• Definierte Entladungsraumbegrenzung
• Elektrodenmaterial Edelstahl


Technische Daten

Elektrodendurchmesser Ø 148 mm
   
Leistungsversorgung 13,56; 40,68;  60 oder 80 MHz,
600 W
   
Leistungsdichte bis 3 W/cm2
   
Substratelektroden
Oberflächentemperatur
bis 600 °C
   
Elektrodenabstand,
manuell einstellbar
5 - 40 mm
   
Arbeitsdruck 0,05 - 5 mbar
   
Prozessgase SiH4 Dotantenhydride, H2 u.a.



 
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